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武汉云岭光电申请基于对接生长工艺的激光器相关专利,避免氢氟酸与铝反应产生的钻蚀现象

发布时间:2024-08-22 18:16:45
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2024年8月21日消息,天眼查知识产权信息显示,武汉云岭光电股份有限公司申请一项名为“基于对接生长工艺的激光器制作方法以及激光器“,公开号CN202410526938.0,申请日期为2024年4月。

专利摘要显示,本发明涉及光通信技术领域,提供了一种基于对接生长工艺的激光器制作方法,包括如下步骤:S1,于衬底上生长外延结构;S2,继续于外延结构上依次生长InGaAsP层、第一InP层以及阻挡层;S3,于阻挡层上生长掩膜层并进行刻蚀,将无掩膜区域刻蚀至InGaAsP层中;S4,采用硫酸系各向异性腐蚀液腐蚀InGaAsP层,再用稀释氢氟酸去掉侧壁氧化层,并保留表面的掩膜层;S5,接着采用对接工艺对接生长AlGaInAs层;S6,对接生长完毕后,利用氢氟酸去掉掩膜层;S7,接着去掉阻挡层后接着外延生长并制作收尾结构,完成激光器的制作。还提供一种激光器,采用上述的生长方法制得。本发明采用对接生长工艺,在InGaAsP层对接生长AlGaInAs层时,AlGaInAs层生长在阻挡层之下,避免氢氟酸与铝反应产生的钻蚀现象。

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