本站6月26日消息,据媒体报道,存储芯片产业界近日传来消息,通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。
随着业界对高带宽存储(HBM)这类DRAM的大力投资,通用型DRAM的产能利用率相对较低,三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间,与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比。
与HBM DRAM相比,通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片,这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。
自2024年初以来,通用型DRAM的产能仅提升了大约10%,而智能手机、PC和服务器市场的增长率预计仅为2%到3%。
全球云计算和科技公司在AI基础设施上的投资削减,也未能显著推动DRAM需求的复苏。
与此同时,企业级固态硬盘(eSSD)的需求因人工智能的普及而激增,导致三星、SK海力士等主要制造商在第二季度满负荷运行其NAND生产线。
铠侠也在市场条件改善后结束了减产,NAND产能利用率恢复至100%。
尽管业界对通用型DRAM需求反弹持谨慎乐观态度,但这一可能性很大程度上取决于终端设备AI能力的普及程度。
PC制造商和智能手机厂商,如三星和苹果,正在积极探索AI技术在各自产品中的应用,以期带动市场需求。
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