英飞凌推出全球首款12英寸GaN晶圆！效率更高、成本更低

发布时间：2024-09-12 13:05:54

9月12日消息，半导体巨头英飞凌科技近日宣布，公司已成功研发出全球首款300毫米（约12英寸）功率氮化镓（GaN）晶圆技术。

与现有的200毫米晶圆相比，300毫米晶圆技术意味着在单个晶圆上可以制造更多的芯片，从而提高了生产效率和规模经济。

这一技术进步不仅能够增加每晶圆的芯片产量，达到2.3倍，同时也有助于降低生产成本，使得氮化镓技术更加经济高效。

氮化镓功率半导体因其在效率、尺寸和重量方面的优势，在工业、汽车、消费电子、计算和通信应用中得到快速采用。

据悉，英飞凌将在2024年11月在慕尼黑举行的电子展上展示其300毫米GaN技术。

公司已经在奥地利菲拉赫的功率工厂成功制造了300毫米GaN晶圆，并计划根据市场需求进一步扩大产能。

英飞凌科技股份公司首席执行官Jochen Hanebeck表示：“这一显著的成功是我们创新实力和全球团队专注工作的结果，旨在展示我们作为氮化镓和电源系统创新领导者的地位。这项技术突破将改变行业游戏规则，使我们能够释放氮化镓的全部潜力。”

（责编： admin）

免责声明：本文为转载，非本网原创内容，不代表本网观点。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。

如有疑问请发送邮件至：goldenhorseconnect@gmail.com