是明显的。
在PECVD（等离子体增强化学气相沉积）过程中，压力是一个重要的参数，它对薄膜的生长速率和厚度有直接影响。首先较高的PECVD压力会导致气体分子之间的碰撞频率增加，从而增加了反应速率。这意味着在相同的沉积时间内，薄膜的生长速率会增加，最终导致薄膜厚度的增加。其次较高的PECVD压力还会增加气体分子在表面吸附和扩散的机会。这样更多的前体分子可以在表面反应并沉积，从而增加了薄膜的厚度。另外较高的PECVD压力还可能导致薄膜的非均匀性增加。在高压下气体分子的扩散路径变短，导致在不同位置的沉积速率不一致，最终导致薄膜厚度的不均匀性增加。所以PECVD压力对膜厚的影响较高的压力会增加薄膜的生长速率和厚度，但可能会导致薄膜的非均匀性增加。
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